ହାଇବ୍ରିଡ୍ ମିଶ୍ରଣ 2 × 2 |
ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
◆ ୱିଣ୍ଡ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ୍ୟାଣ୍ଡ 698-4000mhHz |
◆ 2G / 3G / 4G / LTE / 5G କଭରେଜ୍ |
ନିମ୍ନ ପାସିଭ୍ ଇଣ୍ଟର-ମୋଡୁଲେସନ୍ |
Low ନିମ୍ନ VSWR & ENAMINONS କ୍ଷତି |
Fify ଉଚ୍ଚ ବିସ୍ଫୋରଣ, ଇଣ୍ଡୋର୍ ଏବଂ ବାହ୍ୟ, ip65 |
ବିଲଡିଂ ସମାଧାନ ପାଇଁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ |
ଉଚ୍ଚାରଣ / ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା |
Inper ପ୍ରତି ଥିବା ଇନପୁଟ୍, ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ପ୍ରତି ପାୱାର୍ ରେଟିଂ 300W |
Row ନିମ୍ନ ଭର୍ଚିଆନ୍ କ୍ଷତି, ନିମ୍ନ VSWR, ନିମ୍ନ PIM (IM3) କୁ |
| ବ electrical ଦୁତିକ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ | |
| ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ପ୍ରତିରୋଧକ | | 50 ଓମ୍ |
| ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସର | 698-2700 MHz |
| ସର୍ବାଧିକ ଶକ୍ତି କ୍ଷମତା | | 300w |
| ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା | | ≥27 DB |
| କ୍ଷତି | ≤3.5 db |
| Vswr | ≤1.25 |
| ଇନ୍-ବ୍ୟାଣ୍ଡ ରିଗ୍ପଲ୍ | | ≤0.5 |
| Imd3, DBC @ + 43BMXX2 | | ≤-150 |
| ସଂଯୋଜକ ପ୍ରକାର | | N-mater ମହିଳା |
| ସଂଯୋଜକଙ୍କ ପରିମାଣ | 4 |
| ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା | | -30- + + 55 ℃ |
| ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ | ଭିତରୋଗର |
N କିମ୍ବା 7/1 / 16 କିମ୍ବା 43/2/2 "ସୁପର ନମନୀୟ କେବୁଲ୍ ର ସ୍ଥାପନ ନିର୍ଦ୍ଦେଶାବଳୀ |
ସଂଯୋଜକଙ୍କ ଗଠନ: (ଚିତ୍ର 1)
ଉ: ଆଗ ବାଦାମ
B. ବ୍ୟାକ୍ ବାଦାମ |
C. ଗ୍ୟାସ୍କେଟ୍
ଷ୍ଟ୍ରିପିଂ ପରିମାଣ ଚିତ୍ର (ଡିମ୍ବିର୍) ଦ୍ୱାରା ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ଧ୍ୟାନ ଦେବାବେଳେ ଧ୍ୟାନ ପ୍ରଦାନ କରାଯିବା ଉଚିତ:
1 ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ କଣ୍ଡକ୍ଟରର ଶେଷ ପୃଷ୍ଠ ଚାଟିଫ୍ରେଡ୍ ହେବା ଉଚିତ୍ |
2। କେବୁଲ ସ୍କେଲ ଏବଂ କେବୁଲର ଶେଷ ପୃଷ୍ଠରେ ପୁରା ପାୱାର୍ ଏବଂ ବୁର୍ |
ସିଲ୍ ର ଅଂଶଗୁଡିକ ଏକତ୍ର କରିବା: ଫ୍ଲାଇଗ୍ରାମ୍ (ଚିତ୍ର ଦ୍ୱାରା ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି କେବୁଲର ବାହ୍ୟ କଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍କ୍ରୁ କରନ୍ତୁ |
ପଛ ବାଦାମନା ଏକତ୍ର (ଚିତ୍ର 3) |
ଡାଇଗ୍ରାମ୍ ଦ୍ୱାରା ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ସ୍କ୍ରୁଇଂ କରି ଆଗ ଏବଂ ପଛକୁ ବାଦାମକୁ ଏକତ୍ର କରନ୍ତୁ (ଚିତ୍ର (5)
1
2। ପଛ ବାଦାମ ଏବଂ କେବୁଲ୍ ଗତିଶୀଳ ରଖନ୍ତୁ, ପଛ ସେଲ ଶରୀରରେ ମୁଖ୍ୟ ସେଲ ଶରୀରରେ ସ୍କ୍ରୁ ରଖନ୍ତୁ | ମାଙ୍କଡ଼ ରେଞ୍ଚ ବ୍ୟବହାର କରି ପଛ ସେଲ ଶରୀରର ମୁଖ୍ୟ ସେଲ ଶରୀରକୁ ସ୍କ୍ରୁ କରନ୍ତୁ | ଏକତ୍ର କାର୍ଯ୍ୟ ସମାପ୍ତ ହୋଇଛି |
